鳍栅格上的单元和宏布置

摘要

本发明涉及了一种管芯，该管芯包括至少一个标准单元，该标准单元包括第一边界和与第一边界相对的第二边界。第一边界和第二边界平行于第一方向。至少一个标准单元另外包括第一多个FinFET，其包括平行于第一方向的第一半导体鳍。管芯另外包括至少一个存储器宏，其具有第三边界和与第三边界相对的第四边界。第三边界和第四边界平行于第一方向。至少一个存储器宏包括第二多个FinFET，其包括平行于第一方向的第二半导体鳍。在至少一个标准单元和至少一个存储器宏中的所有半导体鳍均具有等于第一半导体鳍和第二半导体鳍的最小间距的整数倍的间距。本发明还提供了一种鳍栅格上的单元和宏布置。