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一种利用高密度等离子体反应刻蚀硫化锌材料的方法

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摘要

本发明公布了一种利用高密度等离子体反应刻蚀硫化锌材料的方法，采用感应耦合等离子(ICP)设备，利用CH

1. 一种利用高密度等离子体反应刻蚀硫化锌材料的方法 [P] . 中国专利： CN106342339B . 2014.12.03
2. 一种利用等离子体对多层材料刻蚀的方法 [P] . 中国专利： CN106298502B . 2019.04.09
3. Dry etching method and dry etching apparatus by using high density plasma source [P] . 韩国专利： KR100419033B1 . 2004-02-21

机译：利用高密度等离子体源的干法刻蚀方法及干法刻蚀装置
4. Dry etching method and dry etching apparatus by using high density plasma source [P] . 韩国专利： KR20030055075A . 2003-07-02

机译：利用高密度等离子体源的干法刻蚀方法及干法刻蚀装置
5. METHOD FOR ETCHING ALUMINUM LAYER OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING HIGH DENSITY PLASMA ETCHING FACILITIES [P] . 韩国专利： KR20000060960A . 2000-10-16

机译：利用高密度等离子体刻蚀设备刻蚀半导体器件铝层的方法