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公开/公告号CN103887139B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-01-11
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州大学;
申请/专利号CN201410137157.9
发明设计人 孙旭辉;夏雨健;
申请日2014-04-08
分类号H01J37/32(20060101);
代理机构32103 苏州创元专利商标事务所有限公司;
代理人马明渡;王健
地址 215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号
入库时间 2022-08-23 09:50:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-01-11
授权
2014-07-16
实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20140408
实质审查的生效
2014-06-25
公开
机译: 用于等离子体增强化学气相沉积的方法和用于等离子体增强化学气相沉积的设备
机译: 通过等离子体增强化学气相沉积法沉积的有机低介电常数膜
机译: RF等离子体增强化学气相沉积反应器和用于执行等离子体增强化学气相沉积工艺的方法
机译:通过直接和远程等离子体增强化学气相沉积制备的低介电常数SiOC薄膜的结构
机译:沉积温度和氧气流速对通过二乙氧基甲基硅烷进行等离子增强化学气相沉积制备的低介电常数SiCOH薄膜性能的影响
机译:使用等离子增强化学气相沉积法制备的二乙氧基甲基硅烷(DEMS)在低介电常数(low-k)膜上的耐热,耐湿和耐化学性
机译:载气对等离子增强化学气相沉积三甲基硅烷制备低介电常数SiCOH薄膜结构和电性能的影响
机译:通过等离子体增强的含硅的低介电常数碳氟化合物薄膜增强了化学气相沉积。
机译:用于进一步缩小超大型集成器件-Cu互连的等离子增强化学气相沉积SiCH膜的低k覆盖层的材料设计
机译:通过等离子体增强化学气相沉积制备1低和超低介电常数薄膜
机译:化学气相沉积和等离子体辅助化学气相沉积技术制备碳 - 碳复合材料氧化保护体系的研究。