公开/公告号CN104431986B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-01-04
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州硒谷科技有限公司;
申请/专利号CN201410608740.3
申请日2014-11-03
分类号
代理机构苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李广
地址 215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路166号行政楼
入库时间 2022-08-23 09:50:26
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-01-04
授权
授权
2015-04-22
实质审查的生效 IPC(主分类):A23L 1/28 申请日:20141103
实质审查的生效
2015-03-25
公开
公开
机译: 一种具有两层硒层的等于富板硒的生产方法
机译: 一种具有两层硒层的等于富板硒的生产方法
机译: 一种生产半导体的方法,特别是硒等于更富硒的片剂,其表面积与总活性表面的比例小