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一种电压补偿温度对晶体光折射率影响的方法

摘要

本发明提供一种电压补偿温度对晶体光折射率影响的方法,包括以下步骤:在晶体材料完成初步处理后,将晶体置于一个稳定的电场V1中,通过V1给样品晶体施加电压场场强E0;通过光折变率测定仪器检测晶体的光折射率 n,光折变率测定仪器将光折射率 n反馈给接收处理器R;接收处理器R将折射率n及原材料晶体折射率的理论值 n0代入公式,求出Esc的值;再由公式得出补偿电压的值;d是测量晶体电场两极之间的距离,Esc是理论计算出来的所加电场强度。本发明利用补偿电压消除电场条件下温度对光折射率的影响,得到更理想的样品晶体的光折射率与电压之间的关系曲线,即更理想的光折射率。

著录项

  • 公开/公告号CN104062096B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-01-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学深圳研究生院;

    申请/专利号CN201410301644.4

  • 发明设计人 刘向力;罗政纯;鲁运朋;

    申请日2014-06-27

  • 分类号

  • 代理机构深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙);

  • 代理人张立娟

  • 地址 518000 广东省深圳市南山区西丽镇深圳大学城哈工大校区

  • 入库时间 2022-08-23 09:50:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-01-04

    授权

    授权

  • 2014-10-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01M 11/02 申请日:20140627

    实质审查的生效

  • 2014-09-24

    公开

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