一种8位单片机读写16位存储单元RAM的实现方法

摘要

本发明公开了一种8位单片机读写16位存储单元RAM的实现方法包括以下步骤：1)将16位RAM每个存储单元通过vUB分成高8位和低8位两部分；2)用CPLD/FPGA连接单片机和RAM；3)单片机将初始目标地址分三次写入CPLD/FPGA地址缓存器；4)将CPLD/FPGA地址缓存器中地址写入RAM地址寄存器MCUwrAddr、MCUrdAddr；5)单片机将8位数据写入选通的RAM单元，写入完成后写地址寄存器MCUwrAddr加1；6)单片机从选通单元读取8位数据，读取完成后读地址寄存器MCUrdAddr加1，重复5)可连续写入数据，重复6)可连续读取数据。本发明可以实现8位单片机读写16位存储单元RAM。