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FPGA上电复位过程的存储单元读写检测方法

         
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摘要

基于FPGA技术,提出了一种关于FPGA上电复位过程的存储单元读写检测方法.该方法能够在FPGA上电复位的过程中较早地检测出芯片中心的控制电路和若干级buffer的驱动能力是否足以控制所有存储单元的读写.

著录项

  • 来源
    《电子与封装》 |2017年第11期|33-35|共3页
  • 作者

    耿杨; 谢杰; 徐玉婷; 张胜广;

  • 作者单位

    无锡中微亿芯有限公司,江苏无锡214072;

    中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214072;

    无锡中微亿芯有限公司,江苏无锡214072;

    中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214072;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 设计;
  • 关键词

    FPGA; SRAM; 寄存器上电复位;

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