公开/公告号CN103311396B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-12-28
原文格式PDF
申请/专利权人 南宁市柳川华邦电子有限公司;
申请/专利号CN201310242986.9
发明设计人 黄志文;
申请日2013-06-19
分类号
代理机构
代理人
地址 530003 广西壮族自治区南宁市科园大道西九路6号
入库时间 2022-08-23 09:49:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-12-28
授权
授权
2013-10-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/22 申请日:20130619
实质审查的生效
2013-09-18
公开
公开
机译: p型GaAs衬底ZnSe基雪崩光电二极管和p型GaAs衬底ZnSe基光电二极管
机译: 使用GaN衬底作为生长衬底的GaN基发光二极管和包括该衬底的发光器件
机译: 一种通过sidekaeden N-酰化吡啶基,吡嗪基,嘧啶基或哒嗪基derivaderter控制真菌和/或控制或调节植物生长的方法;在用于该方法的sidekaeden N-酰化吡啶基,吡嗪基,嘧啶和哒嗪基forbindelser中,用于制备此类化合物以及杀真菌和/或植物生长的方法