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一种采用Si基衬底的二极管

摘要

本发明公开了一种采用Si基衬底的二极管,它涉及一种二极管。它包括背面Au电极、Si衬底、AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、AlN/GaN超晶格层、粘贴金属、金属反射镜、GaN外延层和正面Au电极,背面Au电极上设置有Si衬底,Si衬底上依次设置有AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、AlN/GaN超晶格层、粘贴金属、金属反射镜和GaN外延层,GaN外延层外部设置有正面Au电极。本发明衬底热导率高,可靠性高,发光层背面为金属反射镜,表面有粗化结构,取光效率高。

著录项

  • 公开/公告号CN103311396B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-12-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南宁市柳川华邦电子有限公司;

    申请/专利号CN201310242986.9

  • 发明设计人 黄志文;

    申请日2013-06-19

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 530003 广西壮族自治区南宁市科园大道西九路6号

  • 入库时间 2022-08-23 09:49:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-12-28

    授权

    授权

  • 2013-10-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/22 申请日:20130619

    实质审查的生效

  • 2013-09-18

    公开

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