首页> 中国专利> 一种ZnO/α-Si纳米径向异质结太阳电池及其制备方法

一种ZnO/α-Si纳米径向异质结太阳电池及其制备方法

摘要

一种ZnO/α‑Si纳米径向异质结太阳电池及其制备方法,属于太阳电池领域。对石英玻璃进行清洗,在石英玻璃上生长单层AZO薄膜;在AZO薄膜上生长ZnO籽晶层;采用水热法在ZnO籽晶层衬底上生长ZnO纳米柱;在ZnO纳米柱上生长P型α‑Si;AZO薄膜上磁控溅射沉积Ag前电极,在P型α‑Si上印刷Al背电极;烧结完成电池制备。这种电池具有较低的反射率和良好电极接触,透明导电电极具有高的透过率和电导率,可以有效提高电池的效率。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-10-19

    授权

    授权

  • 2016-08-24

    著录事项变更 IPC(主分类):H01L 31/18 变更前: 变更后: 申请日:20130325

    著录事项变更

  • 2014-10-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20130325

    实质审查的生效

  • 2014-10-01

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号