一种制备室温单电子晶体管的方法

摘要

一种制备室温单电子晶体管的方法，以源极、漏极栅极、势垒层和库仑岛为基本结构，覆盖层、库仑岛、势垒层、电极、衬底和基底由上到下依次层叠；源极和漏极之上或者源极、漏极和栅极之上的势垒层利用原子层沉积系统来制备，用于形成电极与库仑岛之间电子隧穿的势垒；库仑岛利用双束系统的电子束诱导沉积来制备，其尺寸、数量和排布具有可控性。本发明精确控制势垒层厚度，精确控制库仑岛的组装定位，显著降低了单电子晶体管制备难度，改善了批量制备单电子晶体管性能的一致性。