公开/公告号CN102750981B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-11-16
原文格式PDF
申请/专利权人 拉碧斯半导体株式会社;
申请/专利号CN201210117226.0
发明设计人 广田彰宏;
申请日2012-04-20
分类号G11C16/06(20060101);G11C16/02(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人毛立群;王忠忠
地址 日本神奈川县横滨市
入库时间 2022-08-23 09:48:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-11-16
授权
授权
2014-05-07
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/06 申请日:20120420
实质审查的生效
2013-12-18
著录事项变更 IPC(主分类):G11C 16/06 变更前: 变更后: 申请日:20120420
著录事项变更
2012-10-24
公开
公开
机译: 包括内部电源电路的半导体存储器件,该内部电源电路生成处于不同电平的多个内部电源电压
机译: 半导体装置的内部电源电压产生电路的控制方法,半导体存储器的内部电源电压产生电路的控制方法,以及半导体存储器的内部电源电压产生电路
机译: 电能存储单元蓄能器单元,例如移动无绳设备,具有电压生成器电路,该电路根据负载触点中的内部电源电压提供电源电压,其中负载需要电源电压