公开/公告号CN104046801B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-11-02
原文格式PDF
申请/专利权人 贵州宏达环保科技有限公司;
申请/专利号CN201410272647.X
申请日2014-06-18
分类号
代理机构贵阳派腾阳光知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人管宝伟
地址 562400 贵州省黔西南布依族苗族自治州顶效镇合心社区
入库时间 2022-08-23 09:48:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-11-02
授权
授权
2016-10-12
著录事项变更 IPC(主分类):C22B 41/00 变更前: 变更后: 申请日:20140618
著录事项变更
2014-10-22
实质审查的生效 IPC(主分类):C22B 41/00 申请日:20140618
实质审查的生效
2014-09-17
公开
公开
机译: 在硅层/硅锗层/硅层的层积结构中仅用离子注入法选择性地形成硅锗层的方法,而无需在顶层和底部层中形成图案,仅选择性地形成硅锗层
机译: 可以使用一种生产非常纯的锗或卤化硅的方法,特别是以用于生产非常纯的锗或用于整流器,晶体管等的硅的原料的形式
机译: 碳化硅-锗-体积混合晶体的生长包括通过升华和蒸发由包含硅,碳和锗的两种原料生产硅,碳和锗气相