X波段低损耗高隔离度封装结构

摘要

本发明是X波段低损耗高隔离度封装结构，包括四层陶瓷，A外部侧印地CY1、B外部侧印地CY2、内部上层地面G1、内部中层地面G2、内部底层地面G3、通孔VIA；其中第一层的底层是射频输入端口RF IN采用的微带线，第二层的顶层是射频输出端口RF OUT采用的带状线，第三层和第四层是内部腔体Q，其中第四层的顶层是焊环H；设计整体尺寸为3mm×3mm×0.8mm，采用了介电常数为9.2的陶瓷材料，在整个X波段内最大的插入损耗仅为0.21dB，隔离度大于50dB。本发明具有能量损耗低、信号串扰小、可靠性高、尺寸小、重量轻、易于器件安装等显著优点，可广泛应用于X波段的器件封装。