RF MEMS隔离，串联和并联DVC和小型MEMS

摘要

本发明一般涉及一种用于高频通信的使RF MEMS装置与衬底和驱动电路隔离的结构，串联和并联的DVC结构，以及更小的MEMS阵列。半导体装置具有一个或多个单元，所述单元其中有多个MEMS装置。MEMS装置通过施加电偏压到上拉电极或下拉电极在距RF电极第一距离的第一位置和距RF电极第二距离的第二位置之间移动MEMS装置的开关元件来操作，所述第二距离不同于所述第一距离。上拉电极和/或下拉电极可以耦接至使MEMS装置与衬底隔离的电阻。