DC～30 GHz并联接触式RF MEMS开关的设计与制造

摘要

对适用于DC～30 GHz频率的并联接触式RF MEMS开关的设计与制造进行了研究.利用低应力电镀Au桥膜作为上电极,实现了接触电极之间的Au-Au接触.使用BorofloatTM玻璃作为衬底,并用隔离电阻对内置射频信号与驱动电极旁路进行隔离;通过对上电极桥膜与CPW间距的优化设计,使开关具有较低的插入损耗.所设计制造的并联接触式RF MEMS开关的下拉电压为60 V,上下电极的接触电阻为0.1 Ω.插入损耗为-0.03 dB@1GH,-0.13 dB@10 GHz和-0.19 dB@20GHz,在DC～30 GHz的插入损耗都＜-0.5 dB;隔离度为-47 dB@1 GHz,-30 dB@10 GHz和-25 dB@20 GHz,在DC～30 GHz的隔高度都＞-23 dB.测试结果表明,所设计的并联接触式RF MEMS开关适用频率为DC～30 GHz,是一种应用频率范围较宽的RF MEMS开关.