半导体太赫兹相干光源器件

摘要

本发明公开了一种半导体太赫兹相干光源器件，它是利用耦合量子阱结构将量子阱激光器输出的激光转换成太赫兹辐射源。器件包括：激发功能块和发光功能块二部分。其特征是：激发功能块选用工艺上已非常成熟的GaAs/AlGaAs量子阱激光器，发光功能块为GaAs/InGaAs耦合量子阱结构。二大功能块通过分子束外延集成为一体。本发明的器件的最大优点是：由于激发部分和发光部分是通过薄膜技术集成为一体，因此，激发部分的出射激光将被有效地耦合到发光部分，这样发光效率实际上是内量子效率，大大提高了激发光的效率。而且它的制备工艺十分简单且成熟。器件达到了小型化，使用方便的目的。