首页> 中国专利> 包含显现强磁性隧道效应的存储元件的磁性存储装置

包含显现强磁性隧道效应的存储元件的磁性存储装置

摘要

本发明提供一种在防止放大器(读出放大器)构成变得复杂的同时能够高速读出的磁性存储装置。该磁性存储装置由显现强磁性隧道效应的,两个第1及第2存储元件、两个第1及第2晶体管构成存储单元的同时,并且利用放大器检测出与两个第1及第2存储元件连接的位线及反相位线的电位差。由此,能够容易地读出数据。又,如由显现强磁性隧道效应的1个存储元件与1个晶体管构成的存储单元的情况那样,不必检测出流过位线的微小的电流值。其结果是,放大器的构造不会变得复杂。又,由于不需采用结构复杂的放大器,故能高速地读出。

著录项

  • 公开/公告号CN1226747C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2005-11-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三洋电机株式会社;

    申请/专利号CN01137875.1

  • 发明设计人 山田光一;

    申请日2001-11-09

  • 分类号G11C11/15;G11C7/00;

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人孙敬国

  • 地址 日本大阪府

  • 入库时间 2022-08-23 08:57:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-01-19

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 11/15 授权公告日:20051109 终止日期:20091209 申请日:20011109

    专利权的终止

  • 2005-11-09

    授权

    授权

  • 2003-12-31

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2002-06-12

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号