首页> 中国专利> 氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法

氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法。以提高氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜(FTO)的电导率。以SnCl2·2H2O,NH4F为起始原料配置成溶胶后,通过将溶胶搅拌蒸发制成干凝胶,再溶解成溶胶的过程去除Cl;同时先在玻璃基底旋涂一层SiO2,阻止玻璃中的Na+,Ca+等杂质离子进入FTO薄膜;结合在氮气中退火等综合方法,进一步提高薄膜的导电性能。

著录项

  • 公开/公告号CN104451610B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-09-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 辽宁大学;

    申请/专利号CN201410681488.9

  • 申请日2014-11-24

  • 分类号C23C18/12(20060101);

  • 代理机构21207 沈阳杰克知识产权代理有限公司;

  • 代理人金春华

  • 地址 110000 辽宁省沈阳市沈北新区道义南大街58号

  • 入库时间 2022-08-23 09:46:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-09-07

    授权

    授权

  • 2015-04-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 18/12 申请日:20141124

    实质审查的生效

  • 2015-03-25

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号