法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-08-31
授权
授权
2015-05-27
实质审查的生效 IPC(主分类):B01D 71/02 申请日:20141212
实质审查的生效
2015-04-29
公开
公开
机译: 金属氧氮化物薄膜的制造方法,其包括在含氮气氛中对金属氧化物膜进行第一次退火以形成金属氧氮化物膜,并在氧化气氛中对金属氧氮化物膜进行第二次退火。
机译: 制造包括在含氮气氛中首先对金属氧化物膜进行退火以形成金属氧氮化物膜并在金属氧化物膜中进行第二次退火的金属氧氮化物膜的方法
机译: 具有在含氮气氛中热处理,氧掺杂处理和在含氧气氛中热处理的步骤的半导体器件的制造方法