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一种基于压敏原理的梁膜结构高压静电场传感器芯片

摘要

一种基于压敏原理的梁膜结构高压静电场传感器芯片,包括基底,在基底上设有硅结构层,在硅结构层上设有上极板;基底的上表面与硅结构层的下表面通过阳极键合连接,硅结构层的上表面与上极板的下表面通过阳极键合连接,采用压阻原理测量静电场力,从而得到静电场强度;采用梁膜结合的方式,使得测量灵敏度极大提高;芯片中心膜不带质量块,厚度小,并且采用四梁支撑承力膜,提高了结构刚度,传感器芯片频响高,连接简洁,电阻条和引线布置易于实现,结构稳定,制作工艺成熟,采用可靠的封装方法,可以使芯片适应多种不同环境;芯片批量化生产后单个成本很低,而且接口和安装极为简便,适合工业现场大规模应用。

著录项

  • 公开/公告号CN104237652B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN201410443797.2

  • 发明设计人 赵玉龙;白民宇;耿英三;翟小社;

    申请日2014-09-03

  • 分类号G01R29/12(20060101);

  • 代理机构61215 西安智大知识产权代理事务所;

  • 代理人贺建斌

  • 地址 710049 陕西省西安市咸宁路28号

  • 入库时间 2022-08-23 09:46:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-18

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R29/12 授权公告日:20160824 终止日期:20190903 申请日:20140903

    专利权的终止

  • 2016-08-24

    授权

    授权

  • 2016-08-24

    授权

    授权

  • 2015-01-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R29/12 申请日:20140903

    实质审查的生效

  • 2015-01-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 29/12 申请日:20140903

    实质审查的生效

  • 2014-12-24

    公开

    公开

  • 2014-12-24

    公开

    公开

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