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基于线迹扫描二维近场成像的反向散射截面测量方法

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本发明提供了一种基于线迹扫描二维近场成像的反向散射截面测量方法。该反向散射截面测量方法包括：在所选定的频率范围内，收发天线以预设的步进频率沿设定的扫描线迹进行扫描，由矢量网络分析仪获得线迹散射测量点上放置待测目标前后的散射测量数据；对线迹散射测量点上放置待测目标前后的散射测量数据进行背景对消；选取最优聚焦的二维散射图像P；由最优聚焦的二维散射图像P提取目标的有效散射系数

著录项

公开/公告号CN104199026B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-08-24

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院电子学研究所;
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申请/专利号CN201410432104.X
发明设计人吕晓德;邢曙光;丁赤飚;林宽;
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申请日2014-08-28
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人曹玲柱
地址 100190 北京市海淀区北四环西路19号
入库时间 2022-08-23 09:45:21

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-08-24

授权

授权
2015-01-07

实质审查的生效 IPC(主分类):G01S 13/89 申请日:20140828

实质审查的生效
2014-12-10

公开

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