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热丝法制备具有最大间接氧化效率的掺硼金刚石膜电极的方法及应用

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摘要

本发明涉及热丝化学气相沉积法制备具有最大间接氧化效率的掺硼金刚石膜(BDD)电极及其应用。通过改变BDD制备过程中热丝沉积系统中的载气流速，使其携带不同浓度的(CH

1. 热丝法制备具有最大间接氧化效率的掺硼金刚石膜电极的方法及应用 [P] . 中国专利： CN104528892B . 2016.08.17
2. 人工抗体型二氧化钛/掺硼金刚石膜电极及其制备方法 [P] . 中国专利： CN104047019A . 2014-09-17
3. MANUFACTURING METHOD OF BORON DOPED DIAMOND ELECTRODE AND BORON DOPED DIAMOND ELECTRODE USING THEREOF [P] . 韩国专利： KR20160055451A . 2016-05-18

机译：掺硼金刚石电极的制造方法及用其制备的掺硼金刚石电极
4. MANUFACTURING METHOD OF BORON DOPED DIAMOND ELECTRODE AND BORON DOPED DIAMOND ELECTRODE USING THEREOF [P] . 韩国专利： KR101672296B1 . 2016-11-07

机译：掺硼金刚石电极的制造方法及用其制备的掺硼金刚石电极
5. BORON-DOPED DIAMOND THIN FILM FORMATION METHOD, BORON-DOPED DIAMOND NON-DEPOSITED MEMBER PRODUCED THEREBY, AND HYBRID THIN FILM DEPOSITION APPARATUS USED FOR SAME [P] . 韩国专利： KR20170083782A . 2017-07-19

机译：掺硼金刚石薄膜的形成方法，由此制得的掺硼金刚石非沉积成员和用于同一目的的混合薄膜沉积装置