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一种分层熔体结构及依次打断导体和分层熔体的激励保护装置

摘要

一种分层熔体结构及依次打断导体和分层熔体的激励保护装置,包括至少两根熔体,所述熔体上下分层设置,所述熔体两端并联连接形成连接端。本发明的激励保护装置,包括壳体,激励源、冲击装置、导体,在所述导体上还并联连接有本发明的分层熔体结构;当激励源驱动冲击装置动作断开所述导体后,所述冲击装置依次断开所述分层熔体结构上的各层熔体。本发明的分层熔体结构可提高激励保护装置的灭弧能力和分断能力。

著录项

  • 公开/公告号CN216793593U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2022-06-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安中熔电气股份有限公司;

    申请/专利号CN202122682450.1

  • 发明设计人 戈西斌;王欣;石晓光;段少波;

    申请日2021-11-04

  • 分类号H01H85/055;H01H85/12;

  • 代理机构西安乾方知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人胡思棉

  • 地址 710077 陕西省西安市雁塔区高新区锦业路69号创业研发园A区12号现代企业中心东区3-10303室

  • 入库时间 2022-08-23 07:37:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-21

    授权

    实用新型专利权授予

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