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一种嵌套式打断导体和熔体的激励保护装置

摘要

一种嵌套式打断导体和熔体的激励保护装置,包括壳体、激励源、冲击装置、导体、与所述导体并联的熔体,在导体预断口处下方的熔体预断口处设置有嵌套保护装置,所述熔体预断口处的嵌套保护装置上设置有供导体断开部分落入的容置腔;所述容置腔与所述导体断开部分形状相匹配;在所述冲击装置驱动下,所述导体断开部分可推动所述嵌套保护装置断开熔体。本发明的激励保护装置,通过设置嵌套保护装置,可阻止电弧在导体断口处复燃,同时提高灭弧能力。

著录项

  • 公开/公告号CN215815777U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2022-02-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安中熔电气股份有限公司;

    申请/专利号CN202121845764.2

  • 发明设计人 戈西斌;段少波;王欣;

    申请日2021-08-09

  • 分类号H01H85/38(20060101);H01H85/055(20060101);

  • 代理机构61259 西安乾方知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人胡思棉

  • 地址 710077 陕西省西安市雁塔区高新区锦业路69号创业研发园A区12号现代企业中心东区3-10303室

  • 入库时间 2022-08-23 04:42:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-11-15

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01H85/38 专利号:ZL2021218457642 变更事项:专利权人 变更前:西安中熔电气股份有限公司 变更后:西安中熔电气股份有限公司 变更事项:地址 变更前:710077 陕西省西安市雁塔区高新区锦业路69号创业研发园A区12号现代企业中心东区3-10303室 变更后:710075 陕西省西安市高新区锦业二路97号中熔电气产业基地

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

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