一种MPCVD装置用单晶金刚石生长晶种托

摘要

本实用新型提供了一种MPCVD装置用单晶金刚石生长晶种托，晶种托上表面为凹球面，凹球面中心具有阶梯形通孔，阶梯形通孔由上部分和下部分组成，上部分的宽度小于小部分的宽度，阶梯形通孔中为与阶梯形通孔间隙配合的晶种垫，晶种垫的上表面高度低于晶种托的上表面高度，晶种托所用材料为金属钼，晶种垫所用材料为氮化铝，能够将等离子体集中起来，改善金刚石晶种表面温度，避免金刚石晶种底部与晶种托之间产生沉积物、碳化物，提高了晶种托的重复利用性，同时还能够根据单晶金刚石的生长高度进行调整，以保障晶种处在最佳生长环境。