公开/公告号CN1209792C
专利类型发明授权
公开/公告日2005-07-06
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申请/专利权人 株式会社日立制作所;
申请/专利号CN00810925.7
申请日2000-06-23
分类号H01L21/20;H01L29/786;
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人王永刚
地址 日本东京
入库时间 2022-08-23 08:57:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-23
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/20 授权公告日:20050706 终止日期:20190623 申请日:20000623
专利权的终止
2013-12-11
专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):H01L21/20 合同备案号:2013990000688 让与人:株式会社日本显示器|松下液晶显示器株式会社 受让人:京东方科技集团股份有限公司 发明名称:多晶半导体薄膜衬底及其制造方法、半导体器件和电子器件 申请公布日:20020821 授权公告日:20050706 许可种类:普通许可 备案日期:20131016 申请日:20000623
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
2013-12-11
专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):H01L 21/20 合同备案号:2013990000688 让与人:株式会社日本显示器|松下液晶显示器株式会社 受让人:京东方科技集团股份有限公司 发明名称:多晶半导体薄膜衬底及其制造方法、半导体器件和电子器件 申请公布日:20020821 授权公告日:20050706 许可种类:普通许可 备案日期:20131016 申请日:20000623
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
2013-08-07
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L21/20 变更前: 变更后: 申请日:20000623
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2013-08-07
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L21/20 变更前: 变更后: 申请日:20000623
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2013-08-07
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L21/20 变更前: 变更后: 申请日:20000623
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2013-08-07
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/20 变更前: 变更后: 申请日:20000623
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2013-08-07
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/20 变更前: 变更后: 申请日:20000623
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2013-08-07
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/20 变更前: 变更后: 申请日:20000623
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2012-01-04
专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/20 变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 登记生效日:20111125 申请日:20000623
专利申请权、专利权的转移
2012-01-04
专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/20 变更前: 变更后:
专利申请权、专利权的转移
2012-01-04
专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/20 变更前: 变更后: 登记生效日:20111125 申请日:20000623
专利申请权、专利权的转移
2012-01-04
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/20 变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 登记生效日:20111125 申请日:20000623
专利申请权、专利权的转移
2012-01-04
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/20 变更前: 变更后:
专利申请权、专利权的转移
2012-01-04
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/20 变更前: 变更后: 登记生效日:20111125 申请日:20000623
专利申请权、专利权的转移
2005-07-06
授权
授权
2005-07-06
授权
授权
2002-08-21
公开
公开
2002-08-21
公开
公开
2002-07-31
实质审查的生效
实质审查的生效
2002-07-31
实质审查的生效
实质审查的生效
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机译： 多晶半导体薄膜，其制造，半导体器件，半导体器件和电子器件的制造
机译： 多晶硅半导体薄膜基质，制造相同薄膜的方法，半导体器件和电子器件
机译： 用于制造相同的半导体器件和电子器件的多晶硅半导体薄膜基质方法
