法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-08-17
授权
授权
2014-08-20
实质审查的生效 IPC(主分类):C23F 1/00 申请日:20120917
实质审查的生效
2014-07-23
公开
公开
机译: 具有用于半导体加工的二极管平面加热器区的加热板,其制造方法,基板支撑组件以及用于等离子体处理半导体基板的方法
机译: 具有用于半导体加工的二极管平面加热器区的加热板,其制造方法,基板支撑组件以及用于等离子体处理半导体基板的方法
机译: 带有二极管平面加热器区的加热板,用于半导体加工