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一种用于浸蚀法的位错腐蚀装置

摘要

本实用新型公开了一种用于浸蚀法的位错腐蚀装置,涉及位错密度测量技术领域。该位错腐蚀装置包括若干层由上至下依次平行排列的放置台,放置台可用于放置片状的晶体,所述放置台的中间设有贯通的第一流通孔,第一流通孔用于供腐蚀液流通并腐蚀晶体表面的位错。该位错腐蚀装置放置于盛有腐蚀液的器皿中,通过在放置台上放置晶体,便于对晶体进行腐蚀,结构独特,通过第一流通孔保证晶体下方的腐蚀液流通,可放置多片晶体进行同时腐蚀,节约腐蚀时间和腐蚀液,相比现有技术采用塑料网导致塑料网内的晶体容易发生倾斜,晶体的下表面接触塑料网导致腐蚀不充分等问题,本申请位错腐蚀装置,晶体放置于放置台上不易倾斜,接触面积小,腐蚀充分。

著录项

  • 公开/公告号CN215894167U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2022-02-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳大学;

    申请/专利号CN202121773215.9

  • 申请日2021-07-30

  • 分类号G01N1/32(20060101);C30B33/10(20060101);

  • 代理机构44242 深圳市精英专利事务所;

  • 代理人于建

  • 地址 518000 广东省深圳市南山区粤海街道南海大道3688号

  • 入库时间 2022-08-23 04:59:50

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