化学腐蚀法研究蓝宝石单晶中的位错缺陷

吕海涛; 张维连; 左燕; 步云英

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化学腐蚀法研究蓝宝石单晶中的位错缺陷

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采用化学腐蚀-金相显微镜法和SEM法观察了CZ法生长的直径50mm的蓝宝石单晶中的位错缺陷.发现位错分布状况为中心较低、边缘较高,密度大约为104～10 5cm-2.在不同温度不同的试剂以及不同的腐蚀时间进行对比结果发现,用KOH腐蚀剂在290℃下腐蚀15min时,显示的位错最为清晰、准确,效果最佳.

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来源
《半导体技术》|2004年第4期|48-51|共4页
作者
吕海涛; 张维连; 左燕; 步云英;
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作者单位

河北工业大学;

天津半导体技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.21;O772;
关键词
化学腐蚀; 蓝宝石单晶; 位错缺陷; KOH腐蚀剂; 金相显微镜;

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