一种双衬底气化芯片

摘要

本实用新型公开了一种双衬底气化芯片，包括：基础衬底和硅衬底，基础衬底上设置有自顶面向内凹陷形成的空腔，待气化液体设置在空腔内，空腔的底面上设置有液态源通道，基础衬底的顶面上设置有接触电极板，硅衬底底部设置有加热电极板，加热电极板通过键合金属层与接触电极板电连接，硅衬底上设置有第一气化通道结构，第一气化通道结构包括阵列排布的若干个第一气化通道单元，第一气化通道单元连通至空腔。本实用新型相较于现有技术，将陶瓷衬底或玻璃衬底与硅衬底组合形成双衬底结构，气化芯片上气化孔的孔径均匀，将气化芯片的加热区域和外围固定结构进行热隔离，降低热导，提升电加热气化效率。