公开/公告号CN215800031U
专利类型实用新型
公开/公告日2022-02-11
原文格式PDF
申请/专利权人 中环领先半导体材料有限公司;天津中环领先材料技术有限公司;
申请/专利号CN202120639324.5
申请日2021-03-29
分类号C30B15/00(20060101);C30B15/32(20060101);C30B29/06(20060101);
代理机构12211 天津滨海科纬知识产权代理有限公司;
代理人薛萌萌
地址 214200 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道
入库时间 2022-08-23 04:45:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-02-11
授权
实用新型专利权授予
机译: 熔炉中熔体水平与下缘结构之间距离的测量方法,使用熔体相同位置的熔体水平控制方法,单晶和单晶生产装置的生产方法
机译: 单晶提拉装置中的熔体液位控制机构,单晶提拉装置中的熔体液位控制方法,单晶提拉装置中的熔体液位调整机构以及提拉单晶时的熔体液位调整方法
机译: 单晶提拉装置中的熔体液位控制机构,单晶提拉装置中的熔体液位控制方法,单晶提拉装置中的熔体液位调整机构以及提拉单晶时的熔体液位调整方法