公开/公告号CN215815889U
专利类型实用新型
公开/公告日2022-02-11
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市电科智能科技有限公司;
申请/专利号CN202121686764.2
申请日2021-07-23
分类号H01L29/872(20060101);H01L29/06(20060101);H01L23/488(20060101);
代理机构13151 河北冀华知识产权代理有限公司;
代理人王占华
地址 518126 广东省深圳市宝安区航城街道三围社区航城智慧安防科技园B栋3A01
入库时间 2022-08-23 04:42:10
机译: 高压横向GaN-on-Silicon肖特基二极管,结漏电电流减少
机译: 高压横向GaN-on-Silicon肖特基二极管,结漏电电流减少
机译: SI掺杂的Algan / GAN高电子迁移率晶体管结构上的肖特基二极管PH传感器