一种用于制备高质量碳化硅晶体的保温装置

摘要

本申请公开了一种用于制备高质量碳化硅晶体的保温装置，包括：配套的保温筒和保温盖，所述保温筒的内部具有空腔，所述保温筒的顶部具有连通所述空腔的开口，在装配状态下，所述保温筒的空腔内放置有坩埚；所述保温盖的底部开设有与所述保温筒同轴的圆形凹槽，所述圆形凹槽的直径小于所述碳化硅籽晶的直径，且大于等于所述碳化硅籽晶的直径的三分之二，所述圆形凹槽的槽深度为30‑50mm。本申请提供的保温装置，在进行碳化硅长晶的过程中能够在籽晶的上方构造出特定的温场，使得制得的碳化硅晶体边缘位置形成能够阻挡晶体边缘位错向内滑移、边缘小角度晶界向内延伸的环形形貌，提升碳化硅晶体中部区域的晶体质量。