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公开/公告号CN215575357U
专利类型实用新型
公开/公告日2022-01-18
原文格式PDF
申请/专利权人 温州大学;
申请/专利号CN202121334865.3
发明设计人 葛张鑫;黄晓斌;董纳洋;吴自然;
申请日2021-06-16
分类号G01R23/20(20060101);
代理机构33258 温州名创知识产权代理有限公司;
代理人陈加利
地址 325000 浙江省温州市瓯海区东方南路38号温州市国家大学科技园孵化器
入库时间 2022-08-23 03:59:46
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: 一种用于产生在后续文件模块之间具有改善的过渡的波形的方法和装置
机译: 一种用于以预定周期产生波形的装置,可重复进行连续操作
机译:用于估计来自分配板电流波形的设备电力的方法,包括该装置的电流波形形状在非线性中波动的装置
机译:用于估计来自分配板电流波形的装置电力的方法,包括当前波形形状波动非线性的装置
机译:用于产生任意波形的基于InP的单片光子集成电路
机译:砷化镓集成电路用于测量和产生电波形到300 GHz
机译:一种快速有效的系统用于分析具有低成本眼跟踪装置的Optopetic波形
机译:用于产生各种波形光的装置
机译:模拟存储器集成电路,用于高达900 mHz的波形采集