首页> 中国专利> 一种基于光栅泰伯效应的检焦方法

一种基于光栅泰伯效应的检焦方法

摘要

本发明涉及一种基于光栅泰伯效应的检焦方法,其作用是实时检测光刻机系统的硅片位置,完成硅片的高精度调平和调焦。检测系统利用硅片离焦引起的光栅泰伯效应的“自成像”位相变化,完成光刻机硅片的高精度检焦:硅片位于焦面位置时,光栅成像波前为平面波前;硅片离焦时,其成像波前为球面波前。该检测系统结构简单,具有较高的抗干扰能力和较好的工艺适应性。

著录项

  • 公开/公告号CN104238284B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院光电技术研究所;

    申请/专利号CN201410500277.0

  • 发明设计人 朱咸昌;胡松;赵立新;

    申请日2014-09-25

  • 分类号

  • 代理机构北京科迪生专利代理有限责任公司;

  • 代理人杨学明

  • 地址 610209 四川省成都市双流350信箱

  • 入库时间 2022-08-23 09:44:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-17

    授权

    授权

  • 2015-01-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20140925

    实质审查的生效

  • 2014-12-24

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号