一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片

摘要

本实用新型提出的一种生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底上的LED芯片，其特征是，包括依次设置的荧光材料与蓝宝石复合衬底，在复合衬底的蓝宝石一侧的GaN过渡层，n‑GaN层，多层量子井结构的发光层GaN/InGaN，p‑GaN层，以及阳极和阴极。由于芯片直接生长在荧光材料与蓝宝石复合衬底之上，而具有良好导热性和优异耐热性的陶瓷荧光材料层直接与芯片发光面无缝隙接触，芯片和荧光材料的导热和散热环境都得到显著的改善，从而提高芯片整体的发光性能和使用寿命。同时也实现了在晶圆制造过程中完成荧光膜的封装，显著降低了后期的封装成本，提高了同一晶圆中每颗芯片品质的一致性。