法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-08-17
授权
授权
2014-06-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 3/042 申请日:20140219
实质审查的生效
2014-05-21
公开
公开
机译: 半导体激光器泵浦固态激光器放大器,半导体激光器激励固体激光器装置,以及在半导体激光器泵浦固态激光器放大器中冷却半导体激光器的方法
机译: 表面发射半导体激光器,例如用于测量物体的速度和距离的设备中,具有泵浦激光器,用于半导体激光器的光泵浦,以将泵浦脉冲中的泵浦辐射辐射到芯片中
机译: 激光器装置具有半导体激光器,该半导体激光器具有单片集成的有源区域,其中两个区域发射不同波长的泵浦辐射,用于泵浦光泵浦激光器的有源介质的不同吸收带