法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-08-17
授权
授权
2014-12-10
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20120628
实质审查的生效
2014-11-12
公开
公开
机译: 处理薄半导体晶圆的步骤包括:热处理晶圆的背面,施加金属基粘合覆盖层,使背面基板与形成导电面的晶圆等接触。
机译: 背面接触太阳能电池导电复合板及其制备方法,背面接触太阳能电池互连结构,双面背面触点太阳能电池组件
机译: 使用散装晶圆单反隔离的背面接触背面结太阳能电池