公开/公告号CN215118908U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-12-10
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳深爱半导体股份有限公司;
申请/专利号CN202120454112.X
申请日2021-03-02
分类号H01L29/06(20060101);G03F7/09(20060101);
代理机构44224 广州华进联合专利商标代理有限公司;
代理人姚姝娅
地址 518116 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路3号
入库时间 2022-08-23 03:05:52
机译: 掩膜图案的校正方法,光掩膜,制造光掩膜的方法,用于制造光掩膜的电子束写入方法,曝光方法,半导体器件以及用于制造半导体器件的方法
机译: 掩膜图案的校正方法,光掩膜,制造光掩膜的方法,用于制造光掩膜的电子束写入方法,曝光方法,半导体器件以及用于制造半导体器件的方法
机译: 功率半导体开关器件,功率转换器,集成电路组件,集成电路,功率电流开关方法,形成功率半导体开关器件的方法,功率转换方法,功率半导体开关器件封装方法以及形成功率晶体管的方法