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功率器件、用于功率器件制造的光掩膜板及集成电路

摘要

本实用新型涉及一种功率器件、用于功率器件制造的光掩膜板及集成电路,该功率器件包括:主结和横向变掺杂终端。其中,所述横向变掺杂终端最靠近所述主结的位置与所述主结的间距为第一预设距离,所述第一预设距离大于或等于主结横向扩散尺寸,小于或等于5倍的主结横向扩散尺寸,所述主结横向扩散尺寸为主结掺杂后的横向热扩散尺寸。该功率器件横向变掺杂终端最靠近所述主结的位置与所述主结的间距满足第一预设距离,功率器件的反压漏电正常,功率器件可以正常使用。

著录项

  • 公开/公告号CN215118908U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-12-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳深爱半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN202120454112.X

  • 发明设计人 张曌;李杰;

    申请日2021-03-02

  • 分类号H01L29/06(20060101);G03F7/09(20060101);

  • 代理机构44224 广州华进联合专利商标代理有限公司;

  • 代理人姚姝娅

  • 地址 518116 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路3号

  • 入库时间 2022-08-23 03:05:52

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