晶圆级ASIC 3D集成基板及封装器件

摘要

本实用新型提供一种晶圆级ASIC 3D集成基板及封装器件。基板包括第一布线层、导电柱、塑封层、第二布线层、桥接芯片及焊球；第一布线层包括第一介质层及第一金属线层，第一金属线层显露于第一介质层的表面，第二布线层包括第二介质层及第二金属线层，第二金属线层显露于第二介质层的表面；导电柱位于第一布线层和第二布线层之间，且两端分别与第一金属线层和第二金属线层电连接，桥接芯片与导电柱电连接；塑封层将导电柱及桥接芯片包覆；焊球位于第二布线层背离导电柱的一侧，且与第二金属线层电连接。采用本实用新型进行封装，可以真正实现系统级封装，可以消除基板寄生电容，降低器件噪声；同时可以提高电源效率，提高器件响应效率和可靠性。