抗PID效应的组件及抗PID效应的晶体硅光伏组件

摘要

本实用新型涉及光伏技术领域，提供了抗PID效应的组件及抗PID效应的晶体硅光伏组件，其中，所述抗PID效应的组件包括玻璃基体，设置在所述玻璃基体任一面的氧化锡层。基于锡离子的离子半径均比钠离子、钙离子小，离子势能更强，与氧原子的结合能力更强，有明显的聚集作用，能够增强玻璃网络结构，使玻璃网络结构更加致密，进而限制钠离子、钙离子的迁移，使玻璃表面不形成含钠离子、钙离子的碳酸盐，保护玻璃不会发生严重的侵蚀，能明显提高玻璃表面以及玻璃镀膜的耐候性，有效的减小玻璃上表面的PID衰减效应的产生；同时，氧化锡层对整体玻璃的透光率影响较小，进而保证得到的组件抗PID效应较强且整体性能优异，应用广泛。