晶体硅光伏组件抗PID技术研究

摘要

本文从封装材料和电池片两方面对产生晶体硅光伏组件电位诱发衰减现象的因素进行研究,通过实验分析得出引起晶体硅光伏组件电位诱发衰减现象的关键因素和消除该因素影响的措施,最终通过优化电池片工艺及优化封装材料选择性搭配两种不同的方式分别制备了具有抗电位诱发衰减性能的晶体硅光伏组件,其在-1000V,85℃、85％相对湿度条件下大于1000小时的测试后,两类组件功率衰减均小于3％,组件未发生电位诱发衰减现象,两种改进措施都能够消除引起组件电位诱发衰减现象的关键因素,大幅提高光伏组件的抗电位诱发衰减现象性能.