公开/公告号CN214672567U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-11-09
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市瑞智欣丰电子有限公司;
申请/专利号CN202120980889.X
发明设计人 张伟;
申请日2021-05-09
分类号H01L21/687(20060101);
代理机构44545 深圳众邦专利代理有限公司;
代理人卢香利
地址 518000 广东省深圳市福田区福保街道石厦社区石厦北二街西新天世纪商务中心A.B座A2502-1
入库时间 2022-08-23 01:41:28
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: 用于结合半导体芯片的夹具的夹具用于结合包括夹具的半导体芯片的夹具和使用该夹具的用于结合半导体芯片的方法
机译: 用于部分贴装的夹具的部分贴带的方法以及用于部分贴装的夹具的制造