一种用于分子束外延设备中的带温度控制的磷源炉

摘要

本实用新型提供一种用于分子束外延设备中的带温度控制的磷源炉，涉及半导体制造技术领域。该磷源炉包括蒸发炉和冷却炉，蒸发炉包括法兰盖、坩埚以及加热丝，坩埚通过第一壳体固定设置在法兰盖上；冷却炉包括第二壳体和壳体温度控制系统，第二壳体套设于第一壳体外部；壳体温度控制系统包括：设置于第二壳体的体壁内的通道、导热液体、加热装置、温度传感器以及控制器。通过在粘附白磷的第二壳体的体壁内设置填充有导热液体的通道，通过控制器对导热液体的温度进行控制，由于采用体壁内导热液体对体壁加热的方式受外界环境温度的影响小，因此能够实现对体壁温度的稳定控制，从而在进行外延生长时能够为分子束外延设备提供束流强度稳定的白磷。