一种基于双曝光刻蚀的高压斜坡场板用光刻版

摘要

本实用新型公开了一种基于双曝光刻蚀的高压斜坡场板用光刻版，其由第一灰度光刻版和第二灰度光刻版组成；第一灰度光刻版、第二灰度光刻版上对应于斜坡场板的区域分别划分有均匀的面积均为S的n个边长为A的正方形栅格，在各个栅格中心对铬层开设有孔，对于第一灰度光刻版、第二灰度光刻版上的第m栅格，铬层分别开设有边长为Bm、Cm的正方形孔。采用本实用新型提供的灰度光刻版制备斜坡场板，能够简化工艺步骤，降低工艺难度和成本，使用较少的工艺步骤和成本实现斜坡场板制作，同时相对于一次曝光，双曝光能够增加对斜坡场板范围与梯度的选择。本实用新型属于半导体集成电路制造技术领域，适用于制作斜坡场板。