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一种基于CMOS工艺的毫米波功率放大器

摘要

本实用新型公开了一种基于CMOS工艺的毫米波功率放大器,属于射频集成电路技术领域,包括第一放大单元、第二放大单元、第三放大单元、第四放大单元、第五放大单元,功率分配网络、功率合成网络、偏置开关控制单元。本实用新型通过控制单级放大单元特定MOS管工作或者不工作来调节输出功率,具体到某个MOS管来说,只有工作与不工作两种状态,通过提高多个可控通断的晶体管的数量,实现多档位可调;在最高输出功率档位时,功率放大器工作的晶体管全部工作,此时工作电流最大,输出功率降低,功率放大器工作的晶体管数目随之减少,功耗也随之降低;相比于基于衰减器的功率控制方式,低输出功率工作时功耗更低,效率更高。

著录项

  • 公开/公告号CN214480486U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-10-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202120426738.X

  • 申请日2021-02-26

  • 分类号H03F3/20(20060101);H03F1/30(20060101);

  • 代理机构34153 合肥昊晟德专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王林

  • 地址 230000 安徽省合肥市高新技术开发区香樟大道199号

  • 入库时间 2022-08-23 01:07:05

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