一种基于APCVD技术的薄膜沉积装置

摘要

本实用新型公开一种基于APCVD技术的薄膜沉积装置，涉及常压化学沉积技术领域，包括加热体组件、进气箱、扩散头、真空系统和排气机构；加热体组件设于晶圆上方，扩散头设于晶圆下方，排气机构设于扩散头下方；进气箱出气口与扩散头进气口相连通；无需大量惰性气体作屏障，可节省保护气体；通过真空吸附晶圆背面，将晶圆因成膜温度和膜应力而引发的弯曲矫正，可防止背面成膜，并提高薄膜均匀性；晶圆成膜面向下，杂质颗粒因重力下落后被气流带走，不会掉落在晶圆上；沉积范围较大，沉积面一次性完成薄膜沉积，沉积面内薄膜均匀性较好；成膜后，膜厚均匀性的实际值在±2％以下；加热体组件可带动晶圆摆动，可使得晶圆沉积面上薄膜的均匀性进一步改善。