一种基于APCVD技术的N型双面太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于APCVD技术的N型双面太阳能电池及其制备方法。本发明提供的一种基于APCVD技术的N型双面太阳能电池的制备方法，利用APCVD设备分别在硅基体前后表面沉积掺硼SiO2，形成BSG膜，和掺磷SiO2，形成PSG膜，然后作退火处理，使得要掺杂的硼杂质和磷杂质分别从BSG膜和PSG膜中扩散到硅基体中，从而在硅基体前表面形成p+掺杂的发射极，在硅基体背表面形成n+掺杂的基极，制备钝化减反膜和钝化膜，最后通过丝网印刷和共烧结的工艺实现硅基体前表面p+掺杂的发射极和背表面n+掺杂的基极的欧姆接触，完成N型双面太阳能电池的制作。本发明的制备方法将APCVD技术引入N型双面电池的制作工艺中，不仅可以省去掩膜的工艺，而且也不需要边缘刻蚀，工艺流程简单可靠。