公开/公告号CN214252642U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-09-21
原文格式PDF
申请/专利权人 广州鑫铂颜料科技有限公司;
申请/专利号CN202022857287.3
发明设计人 卢世义;
申请日2020-12-02
分类号G02B5/28(20060101);
代理机构44692 广州中研专利代理有限公司;
代理人马会强
地址 510000 广东省广州市白云区黄园路135号(3栋)1110房
入库时间 2022-08-23 00:31:59
机译: 用于高矫顽力磁数据存储介质的高饱和度薄膜写入头
机译: 用于高矫顽力磁数据存储介质的高饱和度薄膜写入头
机译: 一种磁通密度的饱和度高的合金薄膜的制造方法。