机译:具有不同覆盖角度的高k栅极电介质对栅极 - 全场场效应晶体管电特性的影响:仿真研究
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机译:高k栅极电介质影响下基于纳米级门 - 全场场效应晶体管的预测物理学模拟
机译:局部高k绝缘子对绝缘栅金属氧化物半导体场效应晶体管的可驱动性和待机功率的影响
机译:TCAD仿真研究温度对基于高K栅极电介质的亚35nm对称双栅极无结晶体管逆变器性能的影响
机译:基于future的多金属高k栅极电介质的电气和材料特性,可用于未来的规模化CMOS技术:物理,可靠性和工艺开发。
机译:通过后退火实现具有高k Al2O3栅极电介质的溶胶-凝胶IGZO晶体管的电气性能的改善
机译:金属栅极高k电介质对SOI TRI-GATE FinFET晶体管电学特性的影响